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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots
作者: Fang, ZD;  Gong, Z;  Miao, ZH;  Kong, LM;  Xu, XH;  Ni, HQ;  Niu, ZC
发表日期: 2004
摘要: Self-assembled InAs quantum dots (QDs) with differing deposition thicknesses covered by InxAl1-xAs (x = 0.2, 0.3) and In0.2Ga0.8As combination strain-reducing layers (CSRLs) were grown by molecular beam epitaxy. Their structural and optical properties were investigated by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy, respectively. The emission peak position of InAs QDs capped by CSRL can reach 1.34 mum at room temperature with a relatively larger energy splitting of 93 meV between the ground and first excited states.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Kong, LM; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC .Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,APR 7 2004,37 (7):1012-1016
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