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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of Sb, N, and period on the electronic properties of GaAs/GaInNAsSb superlattices
作者: Ni HQ;  Xu XH;  Wei Z;  Xu YQ;  Niu ZC;  Wu RH
发表日期: 2004
摘要: We have calculated the bond distributions and atom positions of GaAs/GalnNAsSb superlattices using Keating's semiempirical valence force field (VFF) model and Monte Carlo simulation. The electronic structures of the superlattices are calculated using folded spectrum method (FSM) combined with an empirical pseudopotential (EP) proposed by Williamson et al.. The effects of N and Sb on superlattice energy levels are discussed. We find that the deterioration of the optical properties induced by N can be explained by the localization of the conduction-band states around the N atom. The electron and hole effective masses of the superlattices are calculated and compared with the effective masses of the bulk GaAs and GaInAs.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ni, HQ; Xu, XH; Wei, Z; Xu, YQ; Niu, ZC; Wu, RH .Effects of Sb, N, and period on the electronic properties of GaAs/GaInNAsSb superlattices ,ACTA PHYSICA SINICA,MAY 2004,53 (5):1474-1482
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