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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of the oxygen concentration on the properties of Gd2O3 thin films
作者: Li YL;  Chen NF;  Zhou JP;  Song SL;  Liu LF;  Yin ZG;  Cai CL
发表日期: 2004
摘要: Gd2O3 thin films were deposited on Si (100) substrates at 650degreesC by a magnetron sputtering system under different Ar/O-2 ratios of 6:1, 4:1 and 2:1. The effect of the oxygen concentration on the properties of oxide thin films was investigated by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy and capacitance-voltage (C-V)measurement. X-ray diffraction shows that the structure of oxide films changed from the monoclinic Gd2O3 phase to cubic Gd2O3 phase when the oxygen concentration increased. According to C-V measurement, the dielectric constant value of the samples deposited at different Ar/O-2 ratios is about 12. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: permittivity
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li, YL; Chen, NF; Zhou, JP; Song, SL; Liu, LF; Yin, ZG; Cai, CL .Effect of the oxygen concentration on the properties of Gd2O3 thin films ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,MAY 1 2004,265 (3-4):548-552
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