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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Research progress of self-organized Ge quantum dots on Si substrate
作者: Huang CJ;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2004
摘要: A review is presented on recent research development of self-organized Ge/Si quantum dots (QDs). Emphasis is put on the morphological evolution of the Ge quantum dots grown on Si (001) substrate, the structure analysis of multilayer Ge QDs, the optical and electronic properties of these nanostructures, and the approaches to fabricating ordered Ge quantum dots.
KOS主题词: Quantum dots
刊名: PROGRESS IN NATURAL SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Huang, CJ; Yu, JZ; Wang, QM .Research progress of self-organized Ge quantum dots on Si substrate ,PROGRESS IN NATURAL SCIENCE,MAY 2004,14 (5):388-395
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