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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Passive Q-switched mode locking of double-clading Yb : fiber laser with ion-implanted GaAs
作者: Wang YG;  Ma XY;  Fu SG;  Fan WD;  Li Q
发表日期: 2004
摘要: We report the technique of the ion-implanted semi-insulating GaAs wafer used for passive Q-switched mode locking in double-cladding Yb:fiber laser. The wafer was implanted with 400-keV energy, 10(16)/cm(2) dose As+ ions, and was annealed at 600degreesC for 20 min. At the pump power of 5W, we achieved output power of 200mW. The repetition rate of envelope of Q-switched mode locking is 50-kHz with a FWHM envelope of 4mus. The repetition rate of mode locked pulse train was found to be 15-MHz. This is the first report of such a kind of laser to the best of our knowledge.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang, YG; Ma, XY; Fu, SG; Fan, WD; Li, Q .Passive Q-switched mode locking of double-clading Yb : fiber laser with ion-implanted GaAs ,ACTA PHYSICA SINICA,JUN 2004,53 (6):1810-1814
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