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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs nanostructure grown with different growth rate in InAlAs matrix on InP (001) substrate
作者: Zhao FA;  Wu J;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL
发表日期: 2004
摘要: InAs self-organized nanostructures in In0.52Al0.48As matrix have been grown on InP (001) substrates by molecular beam epitaxy. The morphologies of the nanostructures are found to be strongly dependent on the growth rate of the InAs layer. By increasing the growth rate from 0.005 to 0.35 ML/s, the morphology of the nanostructure changes from wire to elongated dot and then changes back to wire again. Polarized photoluminescence of the InAs quantum wires and quantum dots are performed at 77 K, which are characterized by strong optical anisotropies. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao, FA; Wu, J; Jin, P; Xu, B; Wang, ZG; Zhang, CL .InAs nanostructure grown with different growth rate in InAlAs matrix on InP (001) substrate ,PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,JUN 2004,23 (1-2):31-35
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