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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films
作者: Nedev N;  Beshkov G;  Fortunato E;  Georgiev SS;  Ivanov T;  Raniero L;  Zhang SB;  Martins, R
发表日期: 2004
摘要: The variation of the structure, morphology and the electrical properties of thin amorphous silicon films caused by Rapid Thermal Annealing is studied. The films annealed at 1200degreesC for 2 minutes change their structure to polycrystalline and as a result their resistivity decreases by 4 orders of magnitude. Due to the small thickness of the as deposited amorphous silicon the obtained poly-Si is strongly irregular and has many discontinuities in its texture.
刊名: ADVANCED MATERIALS FORUM II
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Nedev, N; Beshkov, G; Fortunato, E; Georgiev, SS; Ivanov, T; Raniero, L; Zhang, SB; Martins, R .Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films ,ADVANCED MATERIALS FORUM II ,2004 ,455-456(0):108-111
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