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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of In0.2Ga0.8As and In0.2Al0.8As combination layer on band offsets of InAs quantum dots
作者: He J;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2004
摘要: We demonstrate the self-organized InAs quantum dots capped with thin and In0.2Al0.8As and In0.2Ga0.8As combination layers with a large ground and first excited energy separation emission at 1.35 mum at room temperature. Deep level transient spectroscopy is used to obtain quantitative information on emission activation energies and capture barriers for electrons and holes. For this system, the emission activation energies are larger than those for InAs/GaAs quantum dots. With the properties of wide energy separation and deep emission activation energies, self-organized InAs quantum dots capped with In0.2Al0.8As and In0.2Ga0.8As combination layers are one of the promising epitaxial structures of 1.3 mum quantum dot devices. (C) 2004 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
He, J; Xu, B; Wang, ZG .Effect of In0.2Ga0.8As and In0.2Al0.8As combination layer on band offsets of InAs quantum dots ,APPLIED PHYSICS LETTERS,JUN 21 2004,84 (25):5237-5239
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