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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of 1.55-mu m Si-based resonant cavity enhanced photodetectors using sol-gel bonding
作者: Mao RW;  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2004
摘要: In this work, a novel bonding method using silicate gel as the bonding medium was developed to fabricate an InGaAs narrow-band response resonant cavity enhanced photodetector on a silicon substrate. The bonding was performed at a low temperature of 350 degreesC without any special treatment on bonding surfaces and a Si-based narrow-band response InGaAs photodetector was successfully fabricated, with a quantum efficiency of 34.4% at the resonance wavelength of 1.54 mum, and a full-width at half-maximum of about 27 nm. The photodetector has a linear photoresponse up to 4-mW optical power under 1.5 V or higher reverse bias. The low temperature wafer bonding process demonstrates a great potential in device fabrication.
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Mao, RW; Li, CB; Zuo, YH; Cheng, BW; Teng, XG; Luo, LP; Yu, JZ; Wang, QM .Fabrication of 1.55-mu m Si-based resonant cavity enhanced photodetectors using sol-gel bonding ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,AUG 2004,16 (8):1930-1932
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