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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence of type-II (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well
作者: Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH
发表日期: 2004
摘要: We report a systematical study on the molecular beam epitaxy growth and optical property of (GaAs1-xSbx/In-y Ga1-yAs)/GaAs bilayer quantum well (BQW) structures. It is shown that the growth temperature of the wells and the sequence of layer growth have significant influence on the interface quality and the subsequent photoluminescence (PL) spectra. Under optimized growth conditions, three high-quality (GaAsSb0.29/In0.4GaAs)/GaAs BQWs are successfully fabricated and a room temperature PL at 1314 nm is observed. The transition mechanism in the BQW is also discussed by photoluminescence and photoreflectance measurements. The results confirm experimentally a type-II band alignment of the interface between the GaAsSb and InGaAs layers.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu, XH; Niu, ZC; Ni, HQ; Xu, YQ; Zhang, W; He, ZH; Han, Q; Wu, RH .Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence of type-II (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well ,CHINESE PHYSICS LETTERS,SEP 2004,21 (9):1831-1834
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