高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Broadband polarization-insensitive semiconductor optical amplifier gate with tensile InGaAs quasi-bulk and compressively strained InGaAs wells
作者: Wang, SR;  Zhu, HL;  Wang, BJ;  Liu, ZH;  Ding, Y;  Zhao, LJ;  Zhou, F;  Wang, W
发表日期: 2004
摘要: A novel wideband polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) gate containing compressively strained InGaAs quantum wells and tensile-strained InGaAs quasi-bulk layers is developed. The fabricated SOA gates have a wide 3-dB optical bandwidth of 102 nm, less than 0.8-dB polarization sensitivity, more than 50-dB extinction ratio, and less than 75-mA fiber-to-fiber lossless operating current. (C) 2004 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers.
刊名: OPTICAL ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1802.pdf87KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang, SR; Zhu, HL; Wang, BJ; Liu, ZH; Ding, Y; Zhao, LJ; Zhou, F; Wang, W .Broadband polarization-insensitive semiconductor optical amplifier gate with tensile InGaAs quasi-bulk and compressively strained InGaAs wells ,OPTICAL ENGINEERING,SEP 2004,43 (9):1955-1956
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang, SR]的文章
 [Zhu, HL]的文章
 [Wang, BJ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang, SR]的文章
 [Zhu, HL]的文章
 [Wang, BJ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发