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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Novel room temperature photoluminescence of Ge/Si islands in multilayer structure grown on silicon-on-insulator substrate
作者: Li CB;  Cheng BW;  Mao RW;  Zuo YH;  Shi WH;  Huang CJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2004
摘要: Novel room temperature photoluminescence (PL) of the Ge/Si islands in multilayer structure grown on silicon-on-insulator substrates is investigated. The cavity formed by the mirrors at the surface and the buried SiO2 interface has a strong effect on the PL emission. The peak position is consistent with the theoretical calculation and independent of the exciting power, which is the evidence of cavity effect on the room temperature photoluminescence. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li, CB; Cheng, BW; Mao, RW; Zuo, YH; Shi, WH; Huang, CJ; Luo, LP; Yu, JZ; Wang, QM .Novel room temperature photoluminescence of Ge/Si islands in multilayer structure grown on silicon-on-insulator substrate ,THIN SOLID FILMS,NOV 22 2004,467 (1-2):197-200
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