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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Magneto - Transport of electron symmetric and antisymmrtric states in highly doped InGaAs/InAlAs single quantum well
作者: Qiu ZJ;  Gui YS;  Cui LJ;  Zeng YP;  Huang ZM;  Shu XZ;  Dai N;  Guo SL;  Chu JH
发表日期: 2004
摘要: Beating patterns in longitudinal resistance caused by the symmetric and antisymmetric states were observed in a heavily doped InGaAs/InAlAs quantum well by using variable temperature Hall measurement. The energy gap of symmetric and antisymmetric states is estimated to be 4meV from the analysis of beating node positions. In addition, the temperature dependences of the subband electron mobility and concentration were also studied from the mobility spectrum and multicarrier fitting procedure.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Qiu, ZJ; Gui, YS; Cui, LJ; Zeng, YP; Huang, ZM; Shu, XZ; Dai, N; Guo, SL; Chu, JH .Magneto - Transport of electron symmetric and antisymmrtric states in highly doped InGaAs/InAlAs single quantum well ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,OCT 2004,23 (5):329-332
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