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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Two-dimensional simulation of high-order laterally-coupled GaAs-AlGaAs DFB laser diodes
作者: Zhong Y;  Zhu XP;  Song GF;  Huang YD;  Chen LH
发表日期: 2004
摘要: Laterally-coupled distributed feedback (LC-DFB) laser diodes made without an epitaxial re-growth process have the advantage of a simple fabrication process. In this paper, two-dimensional optical field distribution of the fundamental quasi TE (transverse electric) mode is calculated by means of a semivectorial finite-difference method (SV-FDM). The dependence of the effective coupling coefficient (kappa(eff)) on the dutycycle of first-, second- and third-order LC-DFB LDs is investigated using modified coupled wave equations.
KOS主题词: Lasers
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhong, Y; Zhu, XP; Song, GF; Huang, YD; Chen, LH .Two-dimensional simulation of high-order laterally-coupled GaAs-AlGaAs DFB laser diodes ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,AUG 2004,19 (8):971-974
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