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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces
作者: Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL
发表日期: 2004
摘要: InAs self-organized nanostructures were grown with variant deposition thickness and growth rate on closely matched InAlAs/InP by molecular-beam epitaxy. The structural properties. of InAs and InAlAs layer were studied. It is found that the InAs morphology is insensitive to the growth conditions. Transmission electron microscopy and reflectance difference spectroscopy measurements show that the InAlAs matrix presents lateral composition modulation which gives birth to surface anisotropy. Based on the dependence of the InAs morphology on the anisotropy of the InAlAs layer, a modified Stranski-Krastanow growth mode is presented to describe the growth of the nanostructure on a composition-modulated surface.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, FA; Chen, YH; Ye, XL; Jin, P; Xu, B; Wang, ZG; Zhang, CL .Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,NOV 3 2004,16 (43):7603-7610
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