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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Design considerations for a silicon-based p-i-n phase modulator in a double ridge waveguide with side isolating grooves
作者: Chen SW;  Xu DX;  Xu XJ;  Tu XG;  McKinnon R;  Barrios P;  Cheben P;  Janz SF;  Yu JZ
出版日期: 2007
会议日期: SEP 19-21, 2007
摘要: We present detail design considerations and simulation results of a forward biased carrier injection p-i-n modulator integrated on SOI rib waveguides. To minimize the free carrier absorption loss while keeping the comparatively small lateral dimensions of the modulator as required for high speed operation, we proposed two structural improvements, namely the double ridge (terrace ridge) structure and the isolating grooves at both sides of the double ridge. With improved carrier injection and optical confinement structure, the simulated modulator response time is in sub-ns range and absorption loss is minimized.
会议名称: 4th IEEE International Conference on Group IV Photonics
KOS主题词: silicon photonics
会议文集: 2007 4TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen, SW ; Xu, DX ; Xu, XJ ; Tu, XG ; McKinnon, R ; Barrios, P ; Cheben, P ; Janz, SF ; Yu, JZ .Design considerations for a silicon-based p-i-n phase modulator in a double ridge waveguide with side isolating grooves .见:IEEE .2007 4TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2007,123-125
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