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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing
作者: Wang XD;  Li GK;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD
出版日期: 2008
会议日期: MAR 24-27, 2008
摘要: VOx thin films have been fabricated by low temperature ion beam sputtering and post reductive annealing process. Semiconductor-metal phase transition is observed for the film annealed at 400 degrees C for 2 hours. The film also shows a polycrystal structure with grain size from 50nm to 150nm. The VOx thin films fabricated by this process have a TCR up to -2.7% at room temperature. Our results indicate a promising fabrication method of the nano-structured VOx film with relatively high TCR and semiconductor-metal phase transition.
会议名称: 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference
会议文集: 2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wang, XD ; Li, GK ; Liang, JR ; Ji, A ; Hu, M ; Yang, FH ; Liu, J ; Wu, NJ ; Chen, HD .Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing .见:IEEE .2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2008,VOLS 1-3: 857-859
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