Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing
Wang XD; Li GK; Liang JR; Ji A; Hu M; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
2008
会议名称2nd IEEE International Nanoelectronics Conference
会议录名称2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE
页码VOLS 1-3: 857-859
会议日期MAR 24-27, 2008
会议地点Shanghai, PEOPLES R CHINA
出版地345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者IEEE
ISBN978-1-4244-1572-4
部门归属[wang, xiaodong; ji, an; yang, fuhua] chinese acad sci, inst semicond, engn res ctr semicond integrated technol, beijing 100083, peoples r china
摘要VOx thin films have been fabricated by low temperature ion beam sputtering and post reductive annealing process. Semiconductor-metal phase transition is observed for the film annealed at 400 degrees C for 2 hours. The film also shows a polycrystal structure with grain size from 50nm to 150nm. The VOx thin films fabricated by this process have a TCR up to -2.7% at room temperature. Our results indicate a promising fabrication method of the nano-structured VOx film with relatively high TCR and semiconductor-metal phase transition.
关键词V2o5 Thin-films
学科领域微电子学
主办者IEEE.
收录类别其他
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/7754
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang XD,Li GK,Liang JR,et al. Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2008:VOLS 1-3: 857-859.
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