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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence of Charged Low-Density InAs/GaAs Quantum Dots
作者: Wang HL (Wang Hai-Li);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Huang SS (Huang She-Song);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He ZH (He Zhen-Hong);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
发表日期: 2009
摘要: We obtain low-density charged InAs quantum dots with an emission wavelength below 1 mu m using a low InAs growth rate. The quantum dots have a bimodal size distribution with an emission wavelength of around 1340 nm and 1000 nm, respectively. We observe the photoluminescence of the singly charged exciton in the modulation doped quantum dots in 77 K.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, HL (Wang Hai-Li); Xiong, YH (Xiong Yong-Hua); Huang, SS (Huang She-Song); Ni, HQ (Ni Hai-Qiao); He, ZH (He Zhen-Hong); Dou, XM (Dou Xiu-Ming); Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan) .Photoluminescence of Charged Low-Density InAs/GaAs Quantum Dots ,CHINESE PHYSICS LETTERS,OCT 2009 ,26(10):Art.No.107801
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