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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes
作者: Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.)
发表日期: 2009
摘要: The electroluminescence efficiency at room temperature and low temperature (15 K) in a wide-narrow-well InGaN/GaN light-emitting diode with a narrow last well (1.5 nm) and a narrow next-to-last barrier (5 nm) is investigated to study the efficiency droop phenomenon. A reduced droop in the wide wells and a reduced droop at low temperatures reveals that inferior hole transportation ability induced Auger recombination is the root for the droop at high excitation levels.
刊名: APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ding, K (Ding, K.); Zeng, YP (Zeng, Y. P.); Wei, XC (Wei, X. C.); Li, ZC (Li, Z. C.); Wang, JX (Wang, J. X.); Lu, HX (Lu, H. X.); Cong, PP (Cong, P. P.); Yi, XY (Yi, X. Y.); Wang, GH (Wang, G. H.); Li, JM (Li, J. M.) .A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes ,APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS,OCT 2009 ,97(2):465-468
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