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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature
作者: Chen L;  Yan S;  Xu PF;  Lu J;  Wang WZ;  Deng JJ;  Qian X;  Ji Y;  Zhao JH
发表日期: 2009
摘要: We report the low-temperature magnetotransport behaviors of (Ga,Mn)As films with the nominal Mn concentration x larger than 10%. The ferromagnetic transition temperature T-C can be enhanced to 191 K after postgrowth annealing (Ga,Mn)As with x=20%. The temperature T-m, corresponding to the resistivity minimum in the curve of resistivity versus temperature at temperature below T-C, depends on Mn concentration, annealing condition, and magnetic field. Moreover, we find that the variable-range hopping may be the main conductive mechanism when temperature is lower than T-m.
KOS主题词: Rapid thermal processing;  Heat treatment
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen, L (Chen, L.); Yan, S (Yan, S.); Xu, PF (Xu, P. F.); Lu, J (Lu, J.); Wang, WZ (Wang, W. Z.); Deng, JJ (Deng, J. J.); Qian, X (Qian, X.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhao, JH (Zhao, J. H.) .Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature ,APPLIED PHYSICS LETTERS,NOV 2 2009,95(18):Art.No.182505
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