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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films
作者: Hu WG;  Jiao CM;  Wei HY;  Zhang PF;  Kang TT;  Zhang RQ;  Liu XL
发表日期: 2008
摘要: We investigate effects of nitridation on AIN morphology, structural properties and stress. It is found that 3 min nitridation can prominently improve AIN crystal structure, and slightly smooth the surface morphology. However, 10 min nitridation degrades out-of-plane crystal structure and surface morphology instead. Additionally, 3-min nitridation introduces more tensile stress (1.5 GPa) in AIN films, which can be attributed to the weaker islands 2D coalescent. Nitridation for 10 min can introduce more defects, or even forms polycrystallinity interlayer, which relaxes the stress. Thus, the stress in AIN with 10 min nitridation decreases to -0.2 GPa compressive stress.
KOS主题词: Transmission electron microscopy;  Wurtzite-type crystals;  Vapor phase epitaxy;  Thin films;  Development;  Diffraction;  mechanism
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hu WG ; Jiao CM ; Wei HY ; Zhang PF ; Kang TT ; Zhang RQ ; Liu XL .Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2008 ,25(12):4364-4367
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