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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: p-type doping of GaInNAs quaternary alloys
作者: Shi HL;  Duan YF
发表日期: 2008
摘要: Using the first-principles band-structure method, we investigate the p-type doping properties and band structural parameters of the random Ga1-xInxN1-yAsy quaternary alloys. We show that the Mg-Ga substitution is a better choice than ZnGa to realize the p-type doping because of the lower transition energy level and lower formation energy. The natural valence band alignment of GaAs and GaInNAs alloys is also calculated, and we find that the valence band maximum becomes higher with the increasing in composition. Therefore, we can tailor the band offset as desired which is helpful to confine the electrons effectively in optoelectronic devices. (C) 2008 Published by Elsevier B.V.
KOS主题词: alloy;  doping;  FORMATION ENERGY;  transition energy;  Band offset
刊名: PHYSICS LETTERS A
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Shi HL ; Duan YF .p-type doping of GaInNAs quaternary alloys ,PHYSICS LETTERS A,2008 ,373(1):165-168
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