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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang BL;  Sun GS;  Guo Y;  Zhang PF;  Zhang RQ;  Fan HB;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG
发表日期: 2008
摘要: The valence band offset (VBO) of InN/4H-SiC heterojunction has been directly measured by x-ray photoelectron spectroscopy. The VBO is determined to be 0.55 +/- 0.23 eV and the conduction band offset is deduced to be -2.01 +/- 0.23 eV, indicating that the heterojunction has a type-I band alignment. The accurate determination of the valence and conduction band offsets is important for applications of InN/SiC optoelectronic devices.
KOS主题词: Energy bands;  Amorphous semiconductors;  Indium compounds;  Anderson model;  Semiconductors--Junctions;  Silicon compounds;  Energy bands;  Wide gap semiconductors;  Electron spectroscopy
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang BL ; Sun GS ; Guo Y ; Zhang PF ; Zhang RQ ; Fan HB ; Liu XL ; Yang SY ; Zhu QS ; Wang ZG .Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2008 ,93(24):Art. No. 242107
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