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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates
作者: Liang S;  Zhu HL;  Wang W
发表日期: 2009
摘要: We have grown InAs self-assembled islands on vicinal GaAs( 001) substrates. Atomic force microscopy and photoluminescence studies show that the islands have a clear bimodal size distribution. While most of the small islands whose growth is limited by the width of one multi-atomic step have compact symmetric shapes, a large fraction of the large islands limited by the width of one step plus one terrace have asymmetric shapes which are elongated along the multi-atomic step lines. These results can be attributed to the shape-related energy of the islands at different states of their growth. (C) 2008 Elsevier B. V. All rights reserved.
KOS主题词: Quantum dots;  transition;  Development;  Gallium arsenide
刊名: CHEMICAL PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liang S ; Zhu HL ; Wang W .Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates ,CHEMICAL PHYSICS LETTERS,2009 ,468(4-6):249-252
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