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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Linear Rashba Model of a Hydrogenic Donor Impurity in GaAs/GaAlAs Quantum Wells
作者: Li SS;  Xia JB
发表日期: 2009
摘要: The Rashba spin-orbit splitting of a hydrogenic donor impurity in GaAs/GaAlAs quantum wells is investigated theoretically in the framework of effective-mass envelope function theory. The Rashba effect near the interface between GaAs and GaAlAs is assumed to be a linear relation with the distance from the quantum well side. We find that the splitting energy of the excited state is larger and less dependent on the position of the impurity than that of the ground state. Our results are useful for the application of Rashba spin-orbit coupling to photoelectric devices.
KOS主题词: ENERGY SPECTRA;  States;  Cantons
刊名: NANOSCALE RESEARCH LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li SS ; Xia JB .Linear Rashba Model of a Hydrogenic Donor Impurity in GaAs/GaAlAs Quantum Wells ,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2009 ,4(2):178-180
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