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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors
作者: Peng HW;  Xiang HJ;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li JB
发表日期: 2009
摘要: The origin of ferromagnetism in d(0) semiconductors is studied using first-principles methods with ZnO as a prototype material. We show that the presence of spontaneous magnetization in nitrides and oxides with sufficient holes is an intrinsic property of these first-row d(0) semiconductors and can be attributed to the localized nature of the 2p states of O and N. We find that acceptor doping, especially doping at the anion site, can enhance the ferromagnetism with much smaller threshold hole concentrations. The quantum confinement effect also reduces the critical hole concentration to induce ferromagnetism in ZnO nanowires. The characteristic nonmonotonic spin couplings in these systems are explained in terms of the band coupling model.
KOS主题词: Water-power;  Force and energy;  Example;  Modeling
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Peng HW ; Xiang HJ ; Wei SH ; Li SS ; Xia JB ; Li JB .Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors ,PHYSICAL REVIEW LETTERS,2009 ,102(1):Art. No. 017201
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