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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths
作者: Zhang Y;  Zhang Y;  Zeng YP
发表日期: 2008
摘要: This paper studies the dependence of I - V characteristics on quantum well widths in AlAs/In0.53Ga0.47As and AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling structures grown on InP substrates. It shows that the peak and the valley current density in the negative differential resistance region are closely related with quantum well width. The measured peak current density, valley current densities and peak-to-valley current ratio of resonant tunnelling diodes are continually decreasing with increasing well width.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang Y ; Zhang Y ; Zeng YP .Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths ,CHINESE PHYSICS B,2008 ,17(12):4645-4647
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