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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires
作者: Xiang HJ;  Wei SH;  Da Silva JLF;  Li JB
发表日期: 2008
摘要: The alloy formation enthalpy and band structure of InGaN nanowires were studied by a combined approach of the valence-force field model, Monte Carlo simulation, and density-functional theory (DFT). For both random and ground-state structures of the coherent InGaN alloy, the nanowire configuration was found to be more favorable for the strain relaxation than the bulk alloy. We proposed an analytical formula for computing the band gap of any InGaN nanowires based on the results from the screened exchange hybrid DFT calculations, which in turn reveals a better band-gap tunability in ternary InGaN nanowires than the bulk alloy.
KOS主题词: DFT;  Density functionals;  Energy bands;  Enthalpy;  Gallium compounds;  ground states;  Amorphous semiconductors;  Indium compounds;  importance sampling;  Nanowires;  Nanowires;  Wide gap semiconductors
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xiang HJ ; Wei SH ; Da Silva JLF ; Li JB .Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires ,PHYSICAL REVIEW B,2008 ,78(19):Art. No. 193301
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