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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
作者: Jia CH;  Chen YH;  Liu GH;  Liu XL;  Yang SY;  Wang ZG
发表日期: 2008
摘要: The growth direction of ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) is modulated by pretreatment of (001) SMO3 (STO) substrates. ZnO films show a-oriented smooth surface with epitaxial relationship of < 001 > ZnO//< 110 > STO on as-received SfO, and c-axis columnar growth with < 010 > ZnO//< 110 > STO on etched STO, respectively. The orientation alteration of ZnO films is supposed to be caused by the change of STO surface polarity. In addition, the c-ZnO films exhibit an enhanced photoluminescence (PL) intensity due to the improved crystal quality, while the blueshift of PL peak is attributed to the smaller tensile strain. These results show that high quality c-ZnO, which is essential for electronic and optoelectronic device applications, can be grown on (001) SfO by MOCVD. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Jia CH ; Chen YH ; Liu GH ; Liu XL ; Yang SY ; Wang ZG .Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2008 ,311(1):200-204
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