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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
作者: Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ
发表日期: 2009
摘要: Using first-principles molecular dynamics simulations, the displacement threshold energy and defect configurations are determined in SiC nanotubes. The simulation results reveal that a rich variety of defect structures (vacancies, Stone-Wales defects and antisite defects) are formed with threshold energies from 11 to 64 eV. The threshold energy shows an anisotropic behavior and exhibits a dramatic decrease with decreasing tube diameter. The electronic structure can be altered by the defects formed by irradiation, which suggests that the electron irradiation may be a way to use defect engineering to tailor electronic properties of SiC nanotubes.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Carbon;  Boron nitride;  Nanowires;  Composites;  Composite materials;  Defects;  Smelting;  Cold fusion
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang ZG ; Gao F ; Li JB ; Zu XT ; Weber WJ .Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study ,NANOTECHNOLOGY,2009 ,20(7):Art. No. 075708
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