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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
作者: Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: We investigate the molecular beam epitaxy growth of GaSb films on GaAs substrates using AlSb buffer layers. Optimization of AlSb growth parameter is aimed at obtaining high GaSb crystal quality and smooth GaSb surface. The optimized growth temperature and thickness of AlSb layers are found to be 450 degrees C and 2.1 nm, respectively. A rms surface roughness of 0.67 nm over 10 x 10 mu m(2) is achieved as a 0.5 mu m GaSb film is grown under optimized conditions.
KOS主题词: Surface contamination;  Development;  metallic superlattices;  Heterostructures;  Temperature;  Detectors;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhou ZQ ; Xu YQ ; Hao RT ; Tang B ; Ren ZW ; Niu ZC .Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(1):Art. No. 018101
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