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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well
作者: Liang ZM;  Jin C;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG
发表日期: 2009
摘要: Both the peak position and linewidth in the photoluminescence spectrum of the InAs/GaAs quantum dots usually vary in an anomalous way with increasing temperature. Such anomalous optical behaviour is eliminated by inserting an In0.2Ga0.8As quantum well below the quantum dot layer in molecular beam epitaxy. The insensitivity of the photoluminescence spectra to temperature is explained in terms of the effective carrier redistribution between quantum dots through the In0.2Ga0.8As quantum well.
KOS主题词: line shape;  Photoluminescence;  sedimentation;  Heterostructures;  Epitaxy
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Liang ZM ; Jin C ; Jin P ; Wu J ; Wang ZG .Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(1):Art. No. 017802
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