高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
作者: Tang B;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Hao RT;  Wang GW;  Ren ZW;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: InAs/GaSb superlattice (SL) short wavelength infrared photoconduction detectors are grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) semi-insulating substrates. An interfacial misfit mode AlSb quantum dot layer and a thick GaSb layer are grown as buffer layers. The detectors containing a 200-period 2ML/8ML InAs/GaSb SL active layer are fabricated with a pixel area of 800 x 800 mu m(2) without using passivation or antireflection coatings. Corresponding to the 50% cutoff wavelengths of 2.05 mu m at 77K and 2.25 mu m at 300 K, the peak detectivities of the detectors are 4 x 10(9) cm.Hz(1/2)/W at 77K and 2 x 10(8) cm.Hz(1/2)/W at 300 K, respectively.
KOS主题词: Heterojunctions;  Photodiodes;  Segregation;  Separation;  Layers
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
201.pdf414KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Tang B ; Xu YQ ; Zhou ZQ ; Hao RT ; Wang GW ; Ren ZW ; Niu ZC .GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(2):Art. No. 028102
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Tang B]的文章
 [Xu YQ]的文章
 [Zhou ZQ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Tang B]的文章
 [Xu YQ]的文章
 [Zhou ZQ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发