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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electrically Driven InAs Quantum-Dot Single-Photon Sources
作者: Xiong YH;  Niu ZC;  Dou XM;  Sun BQ;  Huang SS;  Ni HQ;  Du Y;  Xia JB
发表日期: 2009
摘要: Electrically driven single photon source based on single InAs quantum dot (QDs) is demonstrated. The device contains InAs QDs within a planar cavity formed between a bottom AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector (DBR) and a surface GaAs-air interface. The device is characterized by I-V curve and electroluminescence, and a single sharp exciton emission line at 966nm is observed. Hanbury Brown and Twiss (HBT) correlation measurements demonstrate single photon emission with suppression of multiphoton emission to below 45% at 80K
KOS主题词: emission;  Computation
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xiong YH ; Niu ZC ; Dou XM ; Sun BQ ; Huang SS ; Ni HQ ; Du Y ; Xia JB .Electrically Driven InAs Quantum-Dot Single-Photon Sources ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(2):Art. No. 026802
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