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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
作者: Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W
发表日期: 2009
摘要: The formation process of InAs quantum dots (QDs) on vicinal GaAs (1 0 0) substrates is studied by atomic force microscopy (AFM). It is found that after 1.2 MLs of InAs deposition, while the QDs with diameters less than the width of the multi-atomic steps are shrinking, the larger QDs are growing. Photoluminescence measurements of the uncapped QDs correspond well to the AFM structure observations of the QDs. We propose that the QDs undergo an anomalous coarsening process with modified growth kinetics resulting from the restrictions of the finite terrace sizes. A comparison between the QDs on the vicinal GaAs (1 0 0) substrates and the QDs on the exact GaAs (1 0 0) further verifies the effect of the multi-atomic steps on the formation of QDs.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Islands;  Development;  FABRICATION;  Epitaxy
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Liang S ; Zhu HL ; Ye XL ; Pan JQ ; Zhao LJ ; Wang W .Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2009 ,42(5):Art. No. 055310
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