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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Spin splitting of conduction subbands in Al0.3Ga0.7As/GaAs/AlxGa1-x As/Al0.3Ga0.7As step quantum wells
作者: Hao YF;  Chen YH;  Liu Y;  Wang ZG
发表日期: 2009
摘要: By means of the transfer matrix technique, interface-induced Rashba spin splitting of conduction subbands in Al0.3Ga0.7As/GaAs/AlxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As step quantum wells which contain internal structure inversion asymmetry introduced by the insertion of AlxGa1-xAs step potential is investigated theoretically in the absence of electric field and magnetic field. The dependence of spin splitting on the well width, step width and Al concentration is investigated in detail. We find that the sign of the first excited subband spin splitting changes with well width and step width, and is opposite to that of the ground subband under certain conditions. The sign and strength of the spin splitting are shown to be sensitive to the components of the envelope function at three interfaces. Copyright (C) EPLA, 2009
KOS主题词: Heterostructures;  Layers
刊名: EPL
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hao YF ; Chen YH ; Liu Y ; Wang ZG .Spin splitting of conduction subbands in Al0.3Ga0.7As/GaAs/AlxGa1-x As/Al0.3Ga0.7As step quantum wells ,EPL,2009 ,85(3):Art. No. 37003
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