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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
作者: Zhan F;  Huang SS;  Niu ZC;  Ni HQ;  Xiong YH;  Fang ZD;  Zhou HY;  Luo Y
发表日期: 2009
摘要: In this paper, combining low deposition rate with proper growth temperature, we have developed a way to prepare very low-density quantum dots (QDs) suited for the study of single OD properties without resorting to submicron lithography. Experiment results demonstrate that InAs desorption is significant during growing the low density QDs. Ripening of InAs QDs is clearly observed during the post-growth annealing. Photoluminescence spectroscopy reveals that the emission wavelength of low density InAs QDs arrives at 1332.4 nm with a GaAs capping layer.
KOS主题词: Quantum dots;  desorption;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhan F ; Huang SS ; Niu ZC ; Ni HQ ; Xiong YH ; Fang ZD ; Zhou HY ; Luo Y .Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots ,JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2009 ,9(2):844-847
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