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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 40-Gb/s Low Chirp Electroabsorption Modulator Integrated With DFB Laser
作者: Cheng YB;  Pan JQ;  Wang Y;  Zhou F;  Wang BJ;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W
发表日期: 2009
摘要: A 40-Gb/s monolithically integrated transmitter containing an InGaAsP multiple-quantum-well electroabsorption modulator (EAM) with lumped electrode and a distributed-feedback semiconductor laser is demonstrated. Superior characteristics are exhibited for the device, such as low threshold current of 20 mA, over 40-dB sidemode suppression ratio at 1550 nm, and more than 30-dB dc extinction ratio when coupled into a single-mode fiber. By adopting a deep ridge waveguide and planar electrode structures combined with buried benzocyclobutene, the capacitance of the EAM is reduced to 0.18 pF and the small-signal modulation bandwidth exceeds 33 GHz. Negative chirp operation is also realized when the bias voltage is beyond 1.6 V.
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cheng YB ; Pan JQ ; Wang Y ; Zhou F ; Wang BJ ; Zhao LJ ; Zhu HL ; Wang W .40-Gb/s Low Chirp Electroabsorption Modulator Integrated With DFB Laser ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2009 ,21(6):356-358
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