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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
作者: Guo J;  Sun WG;  Peng ZY;  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: Short period InAs(4 ML)/GaSb(8 ML) superlattices (SLs) with InSb- and mixed-like (or Ga(1-x)In(x)As(1-)ySb(y)-like) interfaces (IFs) are grown by molecular-beam epitaxy (MBE) on (001) GaSb substrates at optimized growth temperature. Raman scattering reveals that two kinds of IFs can be formed by controlling shutter sequences. X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) demonstrate that SLs with mixed-like IFs are more sensitive to growth temperature than that with InSb-like IFs. The photoluminescence (PL) spectra of SLs with mixed-like IFs show a stronger intensity and narrower line width than with InSb-like IFs. It is concluded that InAs/GaSb SLs with mixed-like IFs have better crystalline and optical properties.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Guo J ; Sun WG ; Peng ZY ; Zhou ZQ ; Xu YQ ; Niu ZC .Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(4):Art. No. 047802
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