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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
作者: Chen YH;  Li C;  Zhou ZW;  Lai HK;  Chen SY;  Ding WC;  Cheng BW;  Yu YD
发表日期: 2009
摘要: We report a room temperature study of the direct band gap photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 multiple quantum wells grown on Si-based germanium virtual substrates by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Blueshifts of the luminescence peak energy from the Ge quantum wells in comparison with the Ge virtual substrate are in good agreement with the theoretical prediction when we attribute the luminescence from the quantum well to the c Gamma 1-HH1 direct band transition. The reduction in direct band gap in the tensile strained Ge epilayer and the quantum confinement effect in the Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells are directly demonstrated by room temperature photoluminescence.
KOS主题词: atomic layer deposition;  elemental semiconductors;  Energy bands;  Germanium;  Germanium alloys;  Photoluminescence;  semiconductor epitaxial layers;  quantum well devices;  Silicon;  tensile strength
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen YH ; Li C ; Zhou ZW ; Lai HK ; Chen SY ; Ding WC ; Cheng BW ; Yu YD .Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,94(14):Art. No. 141902
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