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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication and modulation characteristics of 1.3 mu m p-doped InAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers
作者: Ding Y;  Fan WJ;  Xu DW;  Tong CZ;  Yoon SF;  Zhang DH;  Zhao LJ;  Wang W;  Liu Y;  Zhu NH
发表日期: 2009
摘要: We present the fabrication of 1.3 mu m waveband p-doped InAs quantum dot (QD) vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) with an extremely simple process. The continuous-wave saturated output power of 1.1 mW with a lasing wavelength of 1280 nm is obtained at room temperature. The high-speed modulation characteristics of p-doped QD VCSELs of two different oxide aperture sizes are investigated and compared. The maximum 3 dB modulation bandwidth of 2.5 GHz can be achieved at a bias current of 7 mA for a p-doped QD VCSEL with an oxide aperture size of 10 mu m in the small signal frequency response measurements. The crucial factors for the 3 dB bandwidth limitation are discussed according to the parameters' extraction from frequency response.
KOS主题词: Transmission;  Performance;  Ratio
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ding Y ; Fan WJ ; Xu DW ; Tong CZ ; Yoon SF ; Zhang DH ; Zhao LJ ; Wang W ; Liu Y ; Zhu NH .Fabrication and modulation characteristics of 1.3 mu m p-doped InAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2009 ,42(8):Art. No. 085117
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