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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
作者: Hao GD;  Chen YH;  Hao YF
发表日期: 2009
摘要: Using the effective-mass Hamiltonian for an arbitrary direction wurtzite semiconductor on the basis of k.p theory, we investigate the strain effects on the transition energies and optical properties in the R-plane ([1012]-oriented plane) GaN. The results show that (1) the transition energies decrease with the biaxial strains changing from -0.5 to 0.5%; and (2) giant optical anisotropy appears in the R-plane which is significantly affected by the biaxial strains. We clarify the relation between the strains and the polarization properties. Finally, we discuss the application of these properties to the R-plane GaN based devices. (c) 2009 The Japan Society of Applied Physics
KOS主题词: continuous-wave operation;  Quantum wells;  Semiconductor lasers;  Training;  Semiconductors;  Dependency;  Anisotropy;  Aluminum oxide;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hao GD ; Chen YH ; Hao YF .Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009 ,48(4):Art. No. 041001
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