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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN
作者: Majid A;  Sharif R;  Ali A;  Zhu JJ
发表日期: 2009
摘要: Ferromagnetic properties of Mn-implanted wurtzite AlxIn1-xN/GaN thin films grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were observed using a quantum design superconducting quantum interference device (SQUID) magnetometer. Hysteresis behavior with a reasonably high saturation magnetic moment at room temperature for all the samples was noted, Two optical thresholds were observed at 1.58 and 2.64 eV, which are attributed to internal transition (E-5 -> T-5(2)) of Mn3+ (d(4)) and hole emission from the neutral Mn acceptor level to the valence band respectively. Bound magnetic polaron formation is considered to be the origin of ferromagnetism in our samples. (c) 2009 The Japan Society of Applied Physics
KOS主题词: Magnetic properties;  Semiconductors;  Chromium;  Alloys;  Development;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Majid A ; Sharif R ; Ali A ; Zhu JJ .Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009 ,48(4):Art. No. 040202
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