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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors
作者: Zhao DG;  Jiang DS;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang H;  Zhang SM;  Yang H
发表日期: 2009
摘要: The gain mechanism in GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors is investigated by focused light beam. When the incident light illuminates the central region of the Schottky contact electrode, the responsivity changes very little with the increase of reverse bias voltage. However, when the incident light illuminates the edge region of the electrode, the responsivity increases remarkably with the increase of reverse bias voltage, and the corresponding quantum efficiency could be even higher than 100%. It is proposed that the surface states near the edge of the electrode may lead to a reduction of effective Schottky barrier height and an enhancement of electron injection, resulting in the anomalous gain.
KOS主题词: Detectors;  Photodiodes;  Layer
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao DG ; Jiang DS ; Liu ZS ; Zhu JJ ; Wang H ; Zhang SM ; Yang H .An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(5):Art. No. 058501
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