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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
作者: Li T;  Zhu YG;  Zhang XH;  Ma SS;  Wang PF;  Niu ZC
发表日期: 2009
摘要: We investigate the spin relaxation time of holes in an ultrathin neutral InAs monolayer (1.5 ML) and compare with that of electrons, using polarization-dependent time-resolved photoluminescence (TRPL) experiments. With excitation energies above the GaAs gap, we observe a rather slow relaxation of holes (tau(1h) = 196 +/- 17 ps) that is in the magnitude similar to electrons (tau(1e) = 354 +/- 32 ps) in this ultrathin sample. The results are in good agreement with earlier theoretical prediction, and the phonon scattering due to spin-orbit coupling is realized to play a dominant role in the carrier spin kinetics.
KOS主题词: Quantum dots;  Gallium arsenide;  Wells;  Dynamics;  excitons
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li T ; Zhu YG ; Zhang XH ; Ma SS ; Wang PF ; Niu ZC .Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(5):Art. No. 057303
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