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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates
作者: Cheng YB;  Wang Y;  Sun Y;  Pan JQ;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W
发表日期: 2009
摘要: A novel integratable and high speed InGaAsP multi-quantum well (MQW) complex-coupled distributed feedback (DFB) laser is successfully fabricated on a semi-insulating substrate. The fabricated ridge DFB laser exhibits a threshold current of 26 mA, a slope efficiency of 0.14 W.A(-1) and a side mode suppression ratio of 40 dB together with a 3 dB bandwidth of more than 8 GHz. The device is suitable for 10 Gbit/s optical fiber communication.
KOS主题词: Quantum Well;  Operation;  Layer
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cheng YB ; Wang Y ; Sun Y ; Pan JQ ; Bian J ; An X ; Zhao LJ ; Wang W .Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2009 ,26(5):Art. No. 054206
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