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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells
作者: Zeng SW;  Zhang BP;  Sun JW;  Cai JF;  Chen C;  Yu JZ
发表日期: 2009
摘要: InGaN p-i-n homojunction structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition, and solar cells with different p-contact schemes were fabricated. X-ray diffraction measurements demonstrated that the epitaxial layers have a high crystalline quality. Solar cells with semitransparent p-contact exhibited a fill factor (FF) of 69.4%, an open-circuit voltage (V-oc) of 2.24 V and an external quantum efficiency (EQE) of 41.0%. On the other hand, devices with grid p-contact showed the corresponding values of 57.6%, 2.36 V, 47.9% and a higher power density. These results indicate that significant photo-responses can be achieved in InGaN p-i-n solar cells.
KOS主题词: absorption;  Alloys;  Water-power;  Force and energy
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zeng SW ; Zhang BP ; Sun JW ; Cai JF ; Chen C ; Yu JZ .Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2009 ,24(5):Art. No. 055009
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