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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure
作者: Luo HH;  Qian X;  Gu XF;  Ji Y;  Umansky V
发表日期: 2009
摘要: We report experimental results of the effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a two-dimensional electron system (2DES) in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure via time-resolved Kerr rotation measurements. While the microwave reduces the transverse spin lifetime of electrons in the bulk GaAs, it significantly increases that in the 2DES, from 745 to 1213 ps, when its frequency is close to the Zeeman splitting of the electrons in the magnetic field. Such a microwave-enhanced spin lifetime is ascribed to the microwave-induced electron scattering which leads to a "motional narrowing" of spins via D'yakonov-Perel' mechanism.
KOS主题词: Aluminum oxide;  carrier density;  Gallium arsenide;  Quantum theory;  Amorphous semiconductors;  Kerr effect;  Semiconductors--Junctions;  spin dynamics;  Electron gas
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Luo HH ; Qian X ; Gu XF ; Ji Y ; Umansky V .Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2009 ,94(19):Art. No. 192107
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