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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm
作者: Xue HY;  Xue CL;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM
发表日期: 2009
摘要: High quality Ge was epitaxially grown on Si using ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD). This paper demonstrates efficient germanium-on-silicon p-i-n photodetectors with 0.8 mu m Ge, with responsivities as high as 0.38 and 0.21 A/W at 1.31 and 1.55 mu m, respectively. The dark current density is 0.37 mA/cm(2) and 29.4 mA/cm(2) at 0 V and a reverse bias of 0.5 V. The detector with a diameter of 30 mu m, a 3 dB-bandwidth of 4.72 GHz at an incident wavelength of 1550 nm and zero external bias has been measured. At a reverse bias of 3 V, the bandwidth is 6.28 GHz.
KOS主题词: Germanium;  Epitaxy;  photodetector
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xue HY ; Xue CL ; Cheng BW ; Yu YD ; Wang QM .Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm ,CHINESE PHYSICS B,2009 ,18(6):2542-2544
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