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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots
作者: Don XM;  Sun BQ;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Yang FH;  Jia R
发表日期: 2009
摘要: This paper studies the size dependence of biexciton binding energy in single quantum dots (QDs) by using atomic force microscopy and micro-photoluminescence measurements. It finds that the biexciton binding energies in the QDs show "binding" and "antibinding" properties which correspond to the large and small sizes of QDs, respectively. The experimental results can be well interpreted by the biexciton potential curve, calculated from the exciton molecular model and the Heitler-London method.
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Don XM ; Sun BQ ; Huang SS ; Ni HQ ; Niu ZC ; Yang FH ; Jia R .Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots ,CHINESE PHYSICS B,2009 ,18(6):2258-2263
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